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  1. 060 工学部
  2. 10 学術雑誌論文
  3. 10 査読済論文
  1. 0 資料タイプ別
  2. 01 学術雑誌論文

CVD方法によるAlN膜合成のメカニズムと制御 (<特集>窒化アルミニウム(AlN))

http://hdl.handle.net/10191/30432
http://hdl.handle.net/10191/30432
c4e4fc30-89ca-4d04-b827-aa5870ae1001
名前 / ファイル ライセンス アクション
26_8_759-763.pdf 26_8_759-763.pdf (504.5 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2014-11-18
タイトル
タイトル CVD方法によるAlN膜合成のメカニズムと制御 (<特集>窒化アルミニウム(AlN))
タイトル
言語 en
タイトル CVD方法によるAlN膜合成のメカニズムと制御 (<特集>窒化アルミニウム(AlN))
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 AlN
キーワード
主題Scheme Other
主題 Chemical vapor deposition
キーワード
主題Scheme Other
主題 Cluster size
キーワード
主題Scheme Other
主題 Sticking probability
キーワード
主題Scheme Other
主題 Orientation
キーワード
主題Scheme Other
主題 Particle
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ journal article
その他のタイトル
その他のタイトル Study of Mechanism to Control the AlN Film Synthesis by Chemical Vapor Deposition
著者 小宮山, 宏

× 小宮山, 宏

WEKO 38459

小宮山, 宏

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金, 煕濬

× 金, 煕濬

WEKO 38460

金, 煕濬

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大沢, 利男

× 大沢, 利男

WEKO 38461

大沢, 利男

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江頭, 靖幸

× 江頭, 靖幸

WEKO 38462

江頭, 靖幸

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著者別名
識別子 38463
識別子Scheme WEKO
姓名 KOMIYAMA, Hiroshi
著者別名
識別子 38464
識別子Scheme WEKO
姓名 KIM, Hee Joon
著者別名
識別子 38465
識別子Scheme WEKO
姓名 OSAWA, Toshio
著者別名
識別子 38466
識別子Scheme WEKO
姓名 EGASHIRA, Yasuyuki
書誌情報 セラミックス
en : セラミックス

巻 26, 号 8, p. 759-763, 発行日 1991-03
出版者
出版者 日本セラミックス協会
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0009031X
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00131516
権利
権利情報 Copyright(C)1991 日本セラミックス協会
著者版フラグ
値 publisher
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Ver.1 2021-03-01 20:27:36.230776
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